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高效率高頻高積體化轉換器研發
Development of High-Efficiency and High-Frequency Integrated Converters
計畫團隊成員 Members

辛裕明教授

Prof. Yue-ming Hsin​ ​

 

國立中央大學電機系

EE Dept., NCU

邱顯欽教授

Prof. Hsien-Chin Chiu

 

國立長庚大學電子系

EE Dept., CGU

夏勤助理教授

Assist. Prof. Chin Hsia

 

長庚大學機械系

ME Dept., CGU

邱煌仁特聘教授

Distinguished Prof.

Huang-Jen Chiu

國立臺灣科技大學電子系

EE Dept.,NTUST

綦振瀛教授

Prof. Jen-Inn Chyi

 

國立中央大學電機系

EE Dept., NCU

郭浩中講座教授

NYCU Chair Prof.

Hao-Chung Kuo

國立陽明交通大學光電系

DoP, NYCU

劉宇晨副教授

Assoc. Prof.

Yu-Chen Liu

國立宜蘭大學電機系

EE Dept., NIU

Category
Wide-bandgap Semiconductor, IC, Switching Power Supply, Cloud Server Power Supply, Converter, Inverter
技術亮點
Technical Highlights
採用寬能隙氮化鎵元件/積體電路建構的高功率轉換器 (DC/DC Converter)系統,分別採用表面安裝封裝元件和積體化來達成高效率、高頻、高功率密度目標。

關鍵技術亮點包括:

  1. 磊晶成長技術降低GaN元件導通電阻
  2. 開發低傷害乾蝕刻技術完成在同一晶片上二種加強型和空乏型GaN元件
  3. 具新型變壓器設計之高頻低耗損LLC諧振式轉換器
  4. 高頻全GaN二次側/低測驅動電路晶片
 

3 kW DC/DC converters by GaN devices/ICs operated at > 2 MHz with 60W/cm3 power density and > 97 % efficiency. The technical highlights include,

  1. Novel GaN epitaxial growth to reduce RON
  2. Low damage dry etching for E-mode and D-mode GaN HEMTs
  3. Resonant LLC converter with novel transformer design for > MHz operation and reducing loss
  4. High-frequency all GaN low-side driver design

指導單位
主辦單位
射月由來
以挑戰困難和瞄準未來為概念,象徵臺灣自2017 AI元年發射一目標為「挑戰智慧終端AI Edge關鍵技術極限」之火箭,預計於2022年抵達月球,故取名半導體射月計畫。
Copyright © 科技部半導體射月計畫
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