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碳化矽單晶片功率系統平台​
Platform for SiC Power System on A Chip​
計畫團隊成員 Members

崔秉鉞教授

Prof. Bing-Yue Tsui

 

國立陽明交通大學電研所​

Electronics Inst., NYCU​

黃智方教授

Prof. Chih-Fang Huang

 

國立清華大學電子所​

EE Dept., NTHU​

李坤彥教授

Prof. Kung-Yen Lee

 

國立臺灣大學工科海洋系​

ESOE Dept., NTU ​

陳柏宏教授

Prof. Po-Hung Chen

 

國立陽明交通大學電研所

Electronics Int., NYCU​

林聖迪教授

Prof. Sheng-Di Lin

 

國立陽明交通大學電研所​

Electronics Int., NYCU​

吳添立助理教授

Assist. Prof. ​Tian-Li Wu​
 

國立陽明交通大學
國際半導體產業學院​

ICST, NYCU​

黃崇勛教授

Prof. Chung-Hsun Huang

 

國立中正大學電機系

EE Dept., CCU

Category
Silicon Carbide, Power Devices, Wide Bandgap Semiconductor​
技術亮點
Technical Highlights
電動車、軌道運輸、能源網路是21世紀全球競逐的高科技產業,也是降低能源消耗、減緩全球暖化的關鍵。高效率的功率系統以及低能量消耗的功率元件是這些應用成功的核心技術,而碳化矽是最適合的此類應用的半導體材料。本計畫研發全球首創的碳化矽單晶片功率系統平台,包含低壓CMOS元件與邏輯電路、平面高壓元件與驅動電路、垂直型高功率超接⾯MOSFET 等元件、製程、電路之整合技術,超越現有國際⽔準,將大幅提高功率系統效率。
 
This project develops the world's first SiC platform for power management ICs and single-chip power system, including low-voltage CMOS logic circuits, planar high-voltage drive circuits, vertical super-junction MOSFETs. The goal is to surpass the state-of-the-art SiC technologies and to further improve the efficiency of the power system.

指導單位
主辦單位
射月由來
以挑戰困難和瞄準未來為概念,象徵臺灣自2017 AI元年發射一目標為「挑戰智慧終端AI Edge關鍵技術極限」之火箭,預計於2022年抵達月球,故取名半導體射月計畫。
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